AF279 - GE-Transistor PNP 20V 10mA 60mW TO50

Art.Nr.: AF279

Der AF279 ist ein PNP-Germanium-Transistor, der hauptsächlich für Hochfrequenz-Vorstufenanwendungen bis zu 900 MHz entwickelt wurde.
SCRIBD
Hier sind die wichtigsten technischen Daten:

Material: Germanium
Polung: PNP
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V_CE_max): 15 V
Maximale Kollektor-Basis-Spannung (V_CB_max): 15 V
Maximaler Kollektorstrom (I_C_max): 10 mA
Maximale Verlustleistung (P_tot): 60 mW
Gleichstromverstärkung (h_FE): mindestens 10
Transitfrequenz (f_T): 400 MHz
Kollektorkapazität (C_c): 0,9 pF
Maximale Sperrschichttemperatur (T_j): 90 °C
Gehäuse: TO-50