Art.Nr.: VTT1115H
Ein großflächiger hochempfindlicher NPN-Silizium-Fototransistor in einem hermetisch versiegeltem TO-46-Gehäuse mit Linse. Das dichte Gehäuse bietet einen hervorragenden Schutz vor kritischen Umgebungen. Die Basisverbindung ist herausgeführt um eine herkömmliche Vorspannung zu ermöglichen. Diese Geräte sind spektral auf die IREDs der VTE11xxH-Serie abgestimmt.
Datenblatt | ![]() |
---|