SKM200GB123D - IGBT Modul 200A 1200V SEMITRANS3

N-Kanal, sehr geringer Schweifstrom (Tail) mit geringer Temperaturabhängigkeit

Kein Einrasten durch NPT-Non punch through-Technologie mit homogener Siliziumstruktur

Hohe Kurzschlussfestigkeit, selbstbegrenzend

Isolierte Kupfer-Grundplatte

Schnelle und sehr sanft abschaltende CAL-Inversdioden

Grosse Kriech- und Luftstrecken

Positiver Temperaturkoeffizient der VCEsat, die Bedingung für einwandfreie Parallelschaltung

Lieferung ohne Schrauben

Halbbrücke , VCES: 1200 V

ICN @ Tcase=25 °C: 200 A

VCEsat @ Tcase=25 °C: 3,1 V

Schrauben für: 3 x M6 x 12 mm Anschlüsse

Eigenschaft: 4 x M6 x 16 mm Befestigung