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Produktbeschreibung
Bezeichnungr = FZH101
Hersteller = Verschiedene
Beschreibung = 2-Input NAND-Gatter
Schaltkreise pro IC = 4
t(PLH) Maximum (S) = 310n
Rauschunterdrückung Max. = 5.0
P(D) Max.(W) Leistungsverbrauch = 124mW
Versorgungsspg. (V) = 12V
Status = wird nicht mehr hergestellt
Gehäuse = DIP
Anschlüsse = 16
Military = N
Technologie = DTL
Hersteller = Verschiedene
Beschreibung = 2-Input NAND-Gatter
Schaltkreise pro IC = 4
t(PLH) Maximum (S) = 310n
Rauschunterdrückung Max. = 5.0
P(D) Max.(W) Leistungsverbrauch = 124mW
Versorgungsspg. (V) = 12V
Status = wird nicht mehr hergestellt
Gehäuse = DIP
Anschlüsse = 16
Military = N
Technologie = DTL
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