Die Leistungsmerkmale:
Im Gegensatz zum TA8435HQ, der über H-Brücken mit bipolarem Aufbau verfügt, verfügt der TB6560AHQ über zwei komplementäre H-Brücken in MOSFET-Technologie. Dadurch wurde der On-Widerstand von 2,3Ohm beim TA8435HQ auf gerade noch 0,6Ohm beim TB6560AHQ deutlich reduziert. Der TB6560AHQ kann auf Grund dieses Vorteils pro Phase einen Spitzenstrom von 3,5A bereitstellen. Der TA8435HQ liefert demgegenüber im gleichen Gehäuse nur einen Spitzenstrom von 2,5A/Phase.
Durch den komplementären Aufbau seiner H-Brücken kommt der TB6560AHQ zudem ohne Ladungspumpen aus, so dass er bereits in Applikationen mit Brückenspannungen ≥4,5V eingesetzt werden kann. Der TB6560AHQ eignet sich daher insbesondere für mobile Applikationen, die über Primär- oder Sekundärelemente versorgt werden müssen und trotzdem höhere Ströme bereitstellen müssen. Der Verzicht auf eine Ladungspumpe trägt zu besseren EMV-Eigenschaften der Applikation bei.
In Sachen Spannungsfestigkeit ist der TB6560AHQ, wie sein Urahn ebenfalls auf 40V spezifiziert. Der TA8435AHQ benötigt lt. Datenblatt hingegen eine minimale Brückenspannung von 21,6V!I