Beschreibung Patentierte oberflächenmontierbare Thermosicherung zum Schutz vor thermischem Durchgehen von Leistungshalbleitern wie z.B.: MOSFET's, IC's, IGBT's, Triac's, SCR's, etc. Höchste Zuverlässigkeit dank der vollständigen galvanischen Trennung. Trennt Nennspannungen bis zu 60 VDC Reflow-kompatibel durch mechanisches Aktivierungsverfahren Galvanische Trennung erfolgt innerhalb des RTS-Gehäuses Platzsparend durch integrierten Shunt.
Anwendungen Überall dort, wo Leistungstransistoren eingesetzt werden